固體鉭電容器是1956年由美國貝樂(lè )試驗室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異，是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品。鉭電容器外形多種多樣，并制成適于表面貼裝的小型和片型元件。適應了目前電子技術(shù)自動(dòng)化和小型化發(fā)展的。雖然鉭原料稀缺，鉭電容器價(jià)格較昂貴，但大量采用高比容鉭粉（30KuF.g-100KuF.V/g)，加上對電容器制造工藝的改進(jìn)和完善，鉭電容器還是得到了迅速的發(fā)展，鉭電容的應用范圍日益。鉭電容器不僅在軍事通訊，航天等領(lǐng)域應用，而且鉭電容的應用范圍還在向工業(yè)控制，影視設備、通訊儀表等產(chǎn)品中大量使用。由于原材料的特殊性，我們先認識一下鉭這個(gè)金屬元素的性質(zhì)

金屬鉭的性質(zhì)

1802年，稀有金屬鉭(Ta)由AG Ekeberg發(fā)現，位于元素周期表VB 族中[2]，原子序數73，原子量為 108.195，屬于體心立方結構，晶格常數A：3.2959，熔點(diǎn)為2996 ℃，沸點(diǎn)5427 ℃， 僅次于鎢和錸，位居 第三。室溫下的電阻率為13.58μΩ·cm，電離電位7.30±3V。 1.1.2化學(xué)性質(zhì)鉭具有非常好的化學(xué)穩定性 ，不與空氣和水作用，無(wú)論是在冷和熱的條件下，對鹽酸、濃硝酸及“王水”都不反應。除氫氯酸以外能抵 抗包括“王水”在內的一切無(wú)機酸，也包括任何堿溶液的侵蝕。將鉭放入200℃的硫酸中浸泡一年，表層僅 損傷0.006毫米。實(shí)驗證明，鉭在常溫下，對堿溶液、氯氣、溴水、稀硫酸以及其他許多藥劑均不起作用， 僅在氫氟和熱濃硫酸作用下有所反應，這樣的情況在金屬中是比較罕見(jiàn)的。它的另一個(gè)重要特性是可以吸收 氣體，如氫、氮、氧等，并形成相應的固溶體或化合物。

力學(xué)性能

金屬鉭具有高熔點(diǎn)、極強的抗腐蝕能力和良好的強度。鉭富有延展性，可以拉成細絲式制薄箔。其熱膨 脹系數很小，每升高一攝氏度只膨脹百分之六點(diǎn)六。除此之外，它的韌性很強，比銅還要優(yōu)異。但是，硬度 偏低，抗劃傷能力和抗變形能力不足，使用壽命短，制約了金屬鉭的推廣應用，這樣，對其表面進(jìn)行強化處 理就顯得非常重要。

鉭所具有的特性，使它的應用領(lǐng)域十分廣闊。在制取各種無(wú)機酸的設備中，鉭可用來(lái)替代石墨陰極，壽 命可比石墨陰極提高幾十倍。此外，在化工、電子、電氣等工業(yè)中，鉭可以取代過(guò)去需要由貴重金屬鉑承擔 的任務(wù)，使所需費用大大降低。

鉭電容簡(jiǎn)介和基本結構

固體鉭電容是將鉭粉壓制成型,在高溫爐中燒結成陽(yáng)極體,其電介質(zhì)是將陽(yáng)極體放入酸中賦能,形成多孔 性非晶型Ta2O5 介質(zhì)膜,其工作電解質(zhì)為硝酸錳溶液經(jīng)高溫分解形成MnO2 ,通過(guò)石墨層作為引出連接用。

鉭電容性能優(yōu)越，能夠實(shí)現較大容量的同時(shí)可以使體積相對較小，易于加工成小型和片狀元件，適宜目 前電子器件裝配自動(dòng)化，小型化發(fā)展，得到了廣泛的應用，鉭電容的主要特點(diǎn)有壽命長(cháng)，耐高溫，準確度高 ，但耐電壓和電流能力相對較弱，一般應用于電路大容量濾波部分。

工藝流程

一、工藝制造流程

大致工藝流程如下（粗體為關(guān)鍵工序）：

原材料檢驗－成型工序－燒結工序－濕檢QC－焊接工序－賦能工序－被膜工序－石墨銀漿工序－浸銀QC －裝配工序－模塑工序－噴砂工序－打印工序－切邊工序－預測試工序－老練工序－測試工序－外觀(guān)工序－ 編帶工序－查盤(pán)工序－成品Q(chēng)C－入庫儲存－包裝－發(fā)貨QC 下面按照工藝流程路線(xiàn)作一個(gè)簡(jiǎn)要的介紹：

a）原材料檢驗：

b) 成型：

粗細比例不同的顆粒鉭粉與溶解于溶劑中的粘合劑均勻混合好，待溶劑揮發(fā)后，再與鉭絲一起壓制成陽(yáng) 極鉭塊；該工序自動(dòng)化程度較高，每隔一定時(shí)間，操作員將混好的鉭粉倒入進(jìn)料盤(pán)（防止鉭粉太多產(chǎn)生的自 重，粘結在一起），設備自動(dòng)按照尺寸模腔壓制成型；

c) 脫臘和燒結：

脫臘又叫預燒，即將壓制成型的鉭塊內的粘結劑去除；燒結則是將已經(jīng)脫粘結劑的鉭塊燒結成為具有一 定機械強度的微觀(guān)多孔體，燒結過(guò)程只是顆粒與顆粒間接觸的部分熔合在一起，但若燒結溫度過(guò)高，則會(huì )導 致顆粒與顆粒之間的熔合部分過(guò)多，導致表面面積減少；脫臘和燒結對爐的真空度、起始溫度、升溫、保溫 、降溫及出爐、轉爐時(shí)間等參數均有嚴格控制要求。

d) 濕檢QC：

濕檢是通過(guò)對燒結后的鉭塊抽樣進(jìn)行賦能試驗及電參數測試確定鉭塊的燒結比容，為下道賦能工藝的參 數進(jìn)行優(yōu)化（電流密度、形成電壓等），同時(shí)反饋調整上道燒結工序的溫控曲線(xiàn)等參數。同時(shí)，還會(huì )對鉭塊 、鉭絲的外觀(guān)尺寸、強度等參數進(jìn)行測試。

鉭電容器在實(shí)際制造過(guò)程中，由于使用的原材料性能差異和工藝水平不同以及裝備性能的不同，批量生產(chǎn)出的產(chǎn)品的性能盡管都符合標準規定，但實(shí)際上不同生產(chǎn)廠(chǎng)家生產(chǎn)的產(chǎn)品的性能存在明顯的質(zhì)量差異。即使是同一生產(chǎn)批，不同只產(chǎn)品實(shí)際上也存在質(zhì)量差異。造成此現象的深層次原因是鉭電容器復雜的生產(chǎn)工藝過(guò)程使產(chǎn)品參數不可能保持的完全一致，因此,追求質(zhì)量一致性和追求高性能就成為所有生產(chǎn)廠(chǎng)家的重要目標。而對于用戶(hù)而言，造成使用時(shí)失效的原因主要有兩點(diǎn)；一；產(chǎn)品性能參數與電路使用條件不匹配。二；由用戶(hù)提供的產(chǎn)品存在質(zhì)量問(wèn)題。

鉭電容器的各電性能參數對使用時(shí)可靠性的影響鉭電容器的實(shí)際參數如下； 1． CR；額定容量[uF] ；2． DF；損耗[%] ；3． DCL;直流漏電流[uA] ；4． ESR;等效串聯(lián)電阻。[Ω]

反向電壓

一般不允許對鉭電容施加反向電壓，并且不可在純交流的環(huán)境中應用，若在不得以情況下允許時(shí)間小量的反向電壓。25℃環(huán)境下：小于或等于10%Ur或1V（取較小者）85℃環(huán)境下：小于或等于5%Ur或0.5V（取較小者），125℃環(huán)境下：小于或等于1%Ur或0.1V（取較小者），IEC60384-3對反向電壓測試條件為：125℃環(huán)境下，3Vdc或10%UR（取較小者）測試125小時(shí)。

鉭電容器漏電流與充電時(shí)間之間關(guān)系：

不同生產(chǎn)廠(chǎng)家生產(chǎn)的相同規格的產(chǎn)品的漏電流衰減速度完全不一樣，盡管它們都是合格品。鉭電容器的漏電流會(huì )隨充電時(shí)間延長(cháng)而逐漸降低，3分鐘內達到穩定態(tài)，但不同質(zhì)量的產(chǎn)品在充電時(shí)的漏電流衰減速度卻因為不同的生產(chǎn)條件而不同。衰減速度快的產(chǎn)品由于在極短的時(shí)間內通過(guò)電流較小而產(chǎn)生的熱量較小，因此，產(chǎn)品幾乎不存在可導致產(chǎn)品瞬間失效的過(guò)高熱量集中，因此產(chǎn)品不容易發(fā)熱失效。通過(guò)的漏電流小，說(shuō)明該產(chǎn)品的介電層質(zhì)量較好，可以安全承受更高的電壓和電流沖擊，而漏電流衰減速度慢的產(chǎn)品，不光容易在浪涌產(chǎn)生時(shí)因為通過(guò)電流大而擊穿，而且極易爆炸燃燒，對使用者造成毀滅性影響。因此，用戶(hù)可以通過(guò)測試鉭電容器的漏電流衰減速度來(lái)甄別鉭電容器耐電壓沖擊能力和耐電流沖擊能力。

電容失效模式,機理和失效特點(diǎn)

對于鉭電容，失效與其他類(lèi)型的電容一樣,也有電參數變化失效、短路失效和開(kāi)路失效三種。由于鉭電容的電性能穩定,且有獨特的“自愈”特性,鉭電容鮮有參數變化引起的失效，鉭電容失效大部分是由于電路降額不足，反向電壓，過(guò)功耗導致，主要的失效模式是短路。另外,根據鉭電容的失效統計數據,鉭電容發(fā)生開(kāi)路性失效的情況也極少。因此,鉭電容失效主要表現為短路性失效。鉭電容短路性失效模式的機理是:固體鉭電容的介質(zhì)Ta2O5由于原材料不純或工藝中的原因而存在雜質(zhì)、裂紋、孔洞等疵點(diǎn)或缺陷,鉭塊在經(jīng)過(guò)高溫燒結時(shí)已將大部分疵點(diǎn)或缺陷燒毀或蒸發(fā)掉,但仍有少量存在。在賦能、老煉等過(guò)程中,這些疵點(diǎn)在電壓、溫度的作用下轉化為場(chǎng)致晶化的發(fā)源地—晶核;在長(cháng)期作用下,促使介質(zhì)膜以較快的速度發(fā)發(fā)生物理、化學(xué)變化,產(chǎn)生應力的積累,到一定時(shí)候便引起介質(zhì)局部的過(guò)熱擊穿。如果介質(zhì)氧化膜中的缺陷部位較大且集中,一旦在熱應力和電應力作用下出現瞬時(shí)擊穿,則很大的短路電流將使電容迅速過(guò)熱而失去熱平衡,鉭電容固有的“自愈”特性已無(wú)法修補氧化膜,從而導致鉭電容迅速擊穿失效 。

鉭電容封裝大全及技術(shù)參數

長(cháng)的話(huà)是+-0.2 ,寬是+-0.1 高 （MM）
A 型的尺寸3.2 X1.6 X1.6 俗稱(chēng): A(3216)--公制1206
B型的尺寸 3.5 X2.8 X1.9 俗稱(chēng): B(3528)--公制1210
C型的尺寸 6.0X 3.2X 2.6 俗稱(chēng): C(6032)--公制3212
D 型的尺寸7.3 X4.3 X2.9 俗稱(chēng): D(7343) 厚度2.9英寸
E 型的尺寸7.3 X4.3 X4.1 俗稱(chēng): E(7343) 厚度4.1英寸--公制2917
V 型的尺寸7.3X 6.1 X3.45 俗稱(chēng): V(7361)
J(1608)
P(2012)也就是0805的

鉭電容的主要優(yōu)點(diǎn)

鉭電容全稱(chēng)是鉭電解電容，也屬于電解電容的一種，使用金屬鉭做介質(zhì)，不像普通電解電容那樣使用電解液，，鉭電容不需像普通電解電容那樣使用鍍了鋁膜的電容紙燒制，本身幾乎沒(méi)有電感，但也限制了它的容量。此外，鉭電容內部沒(méi)有電解液，很適合在高溫下工作。 鉭電容的特點(diǎn)是壽命長(cháng)、耐高溫、準確度高、濾高頻改波性能極好，不過(guò)容量較小、價(jià)格也比鋁電容貴，而且耐電壓及電流能力較弱。它被應用于大容量濾波的地方，像CPU插槽附近就看到鉭電容的身影，多同陶瓷電容，電解電容配合使用或是應用于電壓、電流不大的地方。

在鉭電解電容器工作過(guò)程中，具有自動(dòng)修補或隔絕氧化膜中的疵點(diǎn)所在的性能，使氧化膜介質(zhì)隨時(shí)得到加固和恢復其應有的絕緣能力，而不致遭到連續的累積性破壞。這種獨特自愈性能，保證了其長(cháng)壽命和可靠性的優(yōu)勢。 鉭電解電容器具有非常高的工作電場(chǎng)強度，并較類(lèi)型電容器都大，以此保證它的小型化。

鉭電容濾波好的原因:

鉭電容的性能優(yōu)異，是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品,鉭電容器非常方便地較大的電容量，在電源濾波、交流旁路等用途上少有競爭對手。

鉭電解電容器具有儲藏電量、進(jìn)行充放電等性能，主要應用于濾波、能量貯存與轉換，記號旁路，耦合與退耦以及作時(shí)間常數元件等。在應用中要注意其性能特點(diǎn)，正確使用會(huì )有助于充分發(fā)揮其功能，其中諸如考慮產(chǎn)品工作環(huán)境及其發(fā)熱溫度，以及采取降額使用等措施，如果使用不當會(huì )影響產(chǎn)品的工作壽命。

固體鉭電容器電性能優(yōu)良，工作溫度范圍寬，而且形式多樣，體積效率優(yōu)異，具有其獨特的特征：鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。此層氧化膜介質(zhì)與組成電容器的一端極結合成一個(gè)整體，不能單獨存在。因此單位體積內所具有的電容量特別大。即比容量非常高，因此特別適宜于小型化。在鉭電容器工作過(guò)程中，具有自動(dòng)修補或隔絕氧化膜中的疵點(diǎn)所在的性能，使氧化膜介質(zhì)隨時(shí)得到加固和恢復其應有的絕緣能力，而不致遭到連續的累積性破壞。這種獨特自愈性能，保證了其長(cháng)壽命和可靠性的優(yōu)勢。

鉭電容最常見(jiàn)的使用故障

片式鉭電容器最常用的電路是電源電路的前級濾波和輸出端的二級濾波.另外,也可以并聯(lián)使用在退藕電路以消除寄生電容造成的雜波干擾.有時(shí)候,大容量的片式鉭電容器也可以使用在脈沖充放電電路中作為二級瞬時(shí)補償電源.一些阻抗特別低的產(chǎn)品也可以使用在大規模集成電路的前級濾波上,以保證大規模集成電路使用中不因為交流紋波過(guò)高而發(fā)熱量太大死機.

由于不同電路中的電路參數差別很大,不同規格的片式鉭電容器的參數指標不同,因此,在電路設計選型時(shí),必須保證電路參數要求和電容器的參數配合合適.否則,完全有可能出現因為電容器參數和電路參數不匹配導致的失效和電路故障.

最常見(jiàn)的使用故障如下;

1.工作頻率和電容器類(lèi)型不配套;

在甚高頻電路,由于電路工作頻率高會(huì )導致電容器的感抗增加而容量下降,因此,必須使用感抗和阻抗ESR非常低的疊層陶瓷電容器[MLCC].同樣,在中低頻率濾波電路使用,就必須使用片式鉭電容器,因為MLCC在低頻率下濾波效果就很差.合適的工作頻率和電容器阻抗及容量變化上存在如下數學(xué)關(guān)系;ESR=1/2πfcESR就是電容器的等效串聯(lián)電阻.

π圓周率3.14

f是電路工作頻率

C是電容器的容量

不同種類(lèi)電容器的自有ESR差別非常大,根據上面的公式可以推導出這樣的結論;不同種類(lèi)的電容器由于ESR不同而適合于不同頻率的濾波電路.不單是體積和體積容量比大小的問(wèn)題.因此,您必須根據電路中的需要過(guò)濾掉的紋波的頻率來(lái)選擇阻抗ESR在不同范圍的電容器,容量選擇只考慮信號響應速度的快慢要求即可.否則,濾波效果就不能達到設計要求.

電容器的等效串聯(lián)電阻ESR和容量甚至電容器種類(lèi)選擇不合適,濾波效果就會(huì )很差,濾波后電路中就會(huì )仍然存在不同頻率的交流雜波干擾信號.因此,使用在濾波電路中的電容器,因為選擇了頻率特性不合適的電容器,濾波性能就不能達到要求.一句話(huà);使用在濾波電路中的電容器,必須首先考慮電容器的頻率特性是否和電路中的需要過(guò)濾掉的交流雜波頻率相符.由于使用的電容器頻率特性不合適,濾波電路出現故障,實(shí)際上是一種低層次的技術(shù)失誤.這要求電路設計者必須對各類(lèi)電子元件的不同參數特點(diǎn)有個(gè)基本的了解.千萬(wàn)不要在對此了解不夠時(shí)實(shí)驗性地完成電路設計,到出現問(wèn)題時(shí)再去找其它的原因.

如果放電功率較大,放電頻率較高,那么需要降額的幅度更大.

此類(lèi)電路中的失效問(wèn)題,例如開(kāi)機時(shí)的爆炸短路現象,多數都是因為電路設計者不清楚濾波電路和放電電路的信號特點(diǎn)存在非常大的差別,因此,不分電路類(lèi)型,統統規定降額多少的做法是非常缺乏科學(xué)依據的自殺行為.

鉭電容故障分析

鉭電容的故障模式的討論基本包括兩方面：標準二氧化錳負極類(lèi)型和新導電聚合物(CP)類(lèi)型。標準鉭 電容器在正常工作模式下，由于電脈沖和電壓水平，使溝道（通道）中電導增加，而導致電擊穿。這會(huì )導致 隨后的熱擊穿，將電容器擊毀。

在相反模式下，我們已經(jīng)通報過(guò)：在相對低的電壓水平下，焦耳熱會(huì )引起導電增加，從而觸發(fā)熱擊穿。 最終導致反饋循環(huán)，包括：溫度-電導-電流-焦耳熱，最終形成電擊穿。這兩種擊穿模式具有隨機特征，很 難提前定位。相對于標準鉭電容而言，導電聚合物（CP）電容器則顯示了稍微不同的電流導電機理。導電 聚合物的介質(zhì)擊穿近似于雪崩擊穿和場(chǎng)致發(fā)射擊穿。是由于兩電極之間的引力，電化學(xué)衰變，枝狀結晶組織 等原因導致的機電崩塌。

然而，也出現了某些負極膜發(fā)生自愈現象報告。這可能源于膜蒸發(fā)，碳化和再氧化過(guò)程。但并非所有的 電容器擊穿會(huì )導致自愈現象或開(kāi)路狀態(tài)?？赡芤矔?huì )出現短路情況。鉭電容我們對于介質(zhì)擊穿的研究意在找出 可以對這種現象加以描述的基本參數系列，及其與最終產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性之間的關(guān)系?；旧?，介質(zhì)擊穿 可由一系列的物理過(guò)程產(chǎn)生：焦耳熱引起電導增加，從而導致熱擊穿；雪崩擊穿和場(chǎng)致發(fā)射擊穿；兩電極之 間的引力，電化學(xué)衰變，枝狀結晶組織等原因導致的機電崩塌等等。

介質(zhì)擊穿導致絕緣體和兩極的擊毀，主要由于熔化和蒸發(fā)和有時(shí)隨后發(fā)生熱逃逸。為掌握鉭MIS（金屬- 絕緣體-半導體）異晶結構的更多數據和找到與介質(zhì)擊穿之間的關(guān)系，我們研究在兩中模式下的電流/電壓依 賴(lài)工作參數（在正常模式下，鉭電極被施加正偏壓；在相反模式下，鉭電極被施加負偏壓）。AVX代理商擊 穿擊毀不僅源于突發(fā)的擊穿情況，而且由于隨后的電流流動(dòng)，從而使擊穿的起源和動(dòng)力難于解釋。

當自愈情況出現時(shí)會(huì )出現一些特殊現象。在某些情況中，薄弱點(diǎn)和體擊穿面積可以減少。在實(shí)驗室實(shí)驗 中，熱擊穿可以被測量，而元件裝置不被毀壞；電擊穿可以被觀(guān)測到，而只出現最小的損壞。輔助自愈過(guò)程 也可以被推導出；氧元素可從二氧化錳負極中釋放出來(lái)，允許鉭二氧化物的再生或消除電子陷阱（類(lèi)似于陽(yáng) 極化處理或鈍化過(guò)程），使在介質(zhì)層中的薄弱點(diǎn)減少。

根據報告，導電聚合物材料有兩種自愈途徑。第一個(gè)理論基于蒸發(fā)過(guò)程。聚合物的熔化和蒸發(fā)溫度相當 低。如電流錯誤足以使聚合物加熱，則其可蒸發(fā)和消除掉其與該處的聯(lián)系。

自愈的第二個(gè)理論則認為當導電聚合物在故障處被加熱時(shí)，聚合物吸收氧元素，從而形成一個(gè)高電阻帽 ，封住了電流向該故障處的通路，與二氧化錳MnO2的自愈方式大致相同。鉭電容介質(zhì)層的擊穿過(guò)程并不十分 確定。我們的薄氧化膜實(shí)驗表明電擊穿并不在施加電場(chǎng)的定義值精確（高）時(shí)出現。擊穿過(guò)程是隨機過(guò)程的 結果，最終的擊穿個(gè)案，多數情況下都為獨立事件。

鉭電容和陶瓷電容的區別在哪里？

鉭電容：是一種電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品，它的性能優(yōu)異。鉭電容器外形多種多樣，并制成適于表面貼裝的小型和片型元件。

在1990年,Y5V型陶瓷電容（陶瓷電容以下用MLCC表示）的價(jià)格已達到鉭電容回收的水平,到1995年,X7R型的價(jià)格達到1.0uF鉭電容器的水平.這些重大變化使得 MLCC可以與鉭電容器在許多應用領(lǐng)域展開(kāi)直接競爭.對電性能的要求主要取決于具體的應用,我們可以對它們在平滑濾波和退耦這兩個(gè)主要應用領(lǐng)域的表現作一 番比較。

對于平滑濾波來(lái)說(shuō),在開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的應用是最普通的應用之一,它覆蓋非常寬廣的輸出功率范圍和波動(dòng)電流.雖然如此,但現代 SMPS設計對于最高工作溫度、電容和高頻開(kāi)關(guān)等方面的限制經(jīng)常使得電容技術(shù)的選擇變得明朗.在不容易進(jìn)行選擇的領(lǐng)域,最好進(jìn)行性?xún)r(jià)比分析。

使用由全波整流橋組成的模擬電路,可以利用MLCC或者鉭電容"平滑濾波".對于Y5V MLCC、X7R MLCC和鉭電容三個(gè)系列來(lái)說(shuō),性能均隨著(zhù)電容量的提高而改善,但是在MLCC的范圍內,所有的性能水平都能找到更加便宜的解決方案.在中低性能水平 上,Y5V MLCC是成本效益最高的解決方案,對于高性能水平(包括最佳水平),X7R MLCC則是最好的選擇.在頻率更高(例如,1 MHz)時(shí),X7R MLCC的競爭優(yōu)勢更加明顯,因為鉭電容回收的有效電容下降,而且串聯(lián)等效電阻(ESR)較高。

而在退耦應用里,人們必須評估IC執行規定的變化而又不引起額外電壓波動(dòng)(可能導致IC性能?chē)乐叵陆?所要求的電量.這意味著(zhù)電容必須做出響 應,實(shí)際上是作為低阻抗充電電源.與平滑濾波應用一樣,其性能隨著(zhù)電容的提高而改善.在100 kHz和400C條件下,1uF的MLCC比1uF、16 V鉭電容的成本效益更高。

C尺寸的33uF和D尺寸的100uF的MLCC電容性能更高,但成本也相應顯著(zhù)上升.而且,由于這些元件的尺寸較大,設計人員可能優(yōu)先考慮使 用一個(gè)以上的MLCC,而不是用較大的鉭電容.結果顯示,在較寬的頻率和溫度范圍內,X7R和Y5V MLCC的成本效益相當于鉭電容。

隨著(zhù)MLCC工藝的提升，陶瓷電容與鉭電容之間的差距會(huì )越來(lái)越小，但是不管是MLCC還是固態(tài)電容，都很難直接取代鉭電容，畢竟他有這自身獨特的性能，但是應用的場(chǎng)景肯定是會(huì )越來(lái)越少~